044 上上强度（4K）
044 上上强度（4K） (第1/3页)
冰芯内部的庆功宴并不正式，或者，与其说是庆功宴，不如说是弥合内部技术争端的一个仪式。
很显然，当梁孟淞抛出他在大量工作基础上的技术直觉之后，这个仪式很圆满。
后闸极无可置疑的成为冰芯在28nm制程节点的技术方案，而同样耗费了研发精力的前闸极将可能作为冰芯下一个制程的方案。
只要没有太过浪费，只要没有太过做无用功，那就是好的，更何况，现在比想象中还更有用一些，不少人的情绪得到很大的缓解。
等到方卓陪着胡正明教授在科大校园里漫步，谈到这件事，他不由得笑道：“谁说梁博士性子直，他这次就特别好。”
“人都是会变的，他在台记那边坐冷板凳，来到这边有你的鼎力支持，有技术上的逐渐追进，他是愿意也有能力处理好这些事情的。”胡正明微微一笑。
他继续说道：“况且，他这次用事实再次有力证明了他在技术领域的实力，以一种真理掌握在少数人手里的姿态推出后闸极方案，这对接下来的工作也很重要。”
方卓默默点头，走了一段路又笑道：“我不会是最后一个知道的吧？”
“那也不是。”胡正明指的正是冰芯下一步制程的超车发展，“这个事需要慎重，需要研发的结果支持，即便这样也还是没有把握，梁孟淞现在和你说，也有拉着你一起赌一把的意思。”
“那我应该支持吗？”方卓想聆听更多的意见。
“你知道为什么会有这样选择的可能吗？”胡正明反问。
“因为FinFET技术。”方卓回答。
“一个重要原因是这，FinFET把逻辑单元结构从平面2D转为立体3D，这和之前的技术就有了很大的差异性，而不是顺理成章的推进。”胡正明缓缓说道，“晶体管不能无限制的缩小，当它缩小到20nm左右就会遇到量子物理中的问题。”
他继续说道：“当年我就是为了解决里面的漏电现象而进行了改善，引入FinFET既能减少因物理现象所导致的漏电，也能增加接触面积，对继续缩小尺寸有帮助。”
胡正明见方总极其认真的听讲，笑道：“问题就在于这个20nm临界点，这个制程节点既可以延续原来的技术架构，也可以导入FinFET。”
方卓点头道：“英特尔选择在这个节点附近导入FinFET，台记选择不导入，三星大概也是不导入。”
这是来自厂商公布的技术路线方案，三星那边现在只谈了28nm的情况。
因为制程节点的特殊性，大家的选择类似于前后闸极方案再次出现了分岔。
“邱总呢他判断20nm这个点在市场上的作为就像90nm那样鸡肋，梁孟淞呢，他认为这样有过渡性质的节点是可以通过导入FinFET而有所突破的。”胡正明说到这里又补了一句，“当然，也是考虑到冰芯发展的特殊情况，我们的局势总是更难一些。”
方卓凝眉细思发现还是想听听胡教授这位大专家的意见：“胡教授，如果是你，你要怎么决策？”
冰芯在技术工艺上面临特殊的选择，也正如它在外界也可能会面临特殊的对待。
这种关头按部就班的研发20nm是个很稳妥的选择，激进研发下一代14nm的风险就大多了。
“很难决策啊。”胡正明由衷的说道，“如果是一个月前，你这么问我，我还是支持搞20nm，因为我们一直有在多线的做这方面。”
冰芯的先进制程研发不是线性的，而是多团队的展开。
“但是，现在，面对这样挥斥方遒的梁孟淞，我也很犹豫。”
胡正明叹道：“方总，制程研发牵一发而动全身，不仅是冰芯的事，也关系着易科的未来，还涉及上下游的方方面面，我实在没法提供更多的决策。”
冰芯的进步是易科长久成功的基础，这个基础一动，搭建在上面的成功都在冒险。
方卓许久才点了下头，陪着胡教授在校园里漫步和思考。
两人安静的走了一段路，碰见有热情的学生打招呼。
胡正明笑着回应，又关心了几句这位微电子学院学
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